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厂商型号

BC549CBU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN 30V 100mA HFE/800

内部编号

3-BC549CBU

#1

数量:10000
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:10000
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BC549CBU产品详细规格

规格书 BC549CBU datasheet 规格书
BC546-50 Datasheet
文档 Copper Lead Frame 12/Oct/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 600mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 420 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 500mW
频率转换 300MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 0.1
最低工作温度 -65
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 300(Typ)
包装宽度 4.19(Max)
PCB 3
最大功率耗散 500
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
最大集电极发射极电压 30
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
包装长度 5.2(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 420@2mA@5V
包装高度 5.33(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Bulk
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 600mV @ 5mA, 100mA
标准包装 1,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 500mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 420 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.1 A
集电极 - 基极电压 30 V
集电极 - 发射极电压 30 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 300 MHz
功率耗散 0.5 W
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 TO-92
元件数 1
直流电流增益(最小值) 420
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN
集电极电流(DC ) 0.1 A
频率 300 MHz
直流电流增益 420

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